特許
J-GLOBAL ID：200903095777723231
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-215095
公開番号（公開出願番号）：特開平7-050348
出願日： 1993年08月06日
公開日（公表日）： 1995年02月21日
要約：
【要約】【目的】 浮遊ゲートに注入しておいた電子と可動イオンとの中和を防止して、データ保持特性を向上させる。【構成】 ゲート酸化膜であるSiO2 膜13が、側壁であるBPSG膜33下に後退しており、この後退で形成された側壁下の空洞部をPSG膜34が埋めている。このため、As+ 23のイオン注入に伴って飛来する可動イオン31がSiO2 膜13の側端面からSiO2 膜13中へ入りこのSiO2 膜13中を移動して浮遊ゲートである多結晶Si膜14の近傍まで侵入することを、PSG膜34で防止することができる。
請求項（抜粋）：
ゲート酸化膜上の浮遊ゲートに側壁が設けられており、前記ゲート酸化膜の側端縁が前記側壁の側端縁よりも前記浮遊ゲート側に位置しており、前記側壁下で且つこの側壁の前記側端縁と前記ゲート酸化膜の前記側端縁との間の部分がPSG膜で埋められている不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
