特許
J-GLOBAL ID：200903095783486721
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-209924
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078814
出願日： 1994年09月02日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】【目的】 基板のランド間にはんだブリッジが発生するのを防止することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 基板1のランド2間に発泡剤を含むインキ6を印刷する工程と、インキ6を発泡、硬化させることによりランド2間を盛り上げる工程と、基板1上に半導体5を実装する工程とを少なくとも包含する。
請求項（抜粋）：
基板のランド間に発泡剤を含むインキを印刷する工程と、上記インキを発泡、硬化させることにより上記ランド間を盛り上げる工程と、上記基板上に半導体を実装する工程とを少なくとも包含することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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