ステム型半導体レーザ装置

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-165112
公開番号（公開出願番号）：特開2000-353846
出願日： 1999年06月11日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
要約：

【要約】【課題】内部のインピーダンスと外部負荷のインピーダンスとをマッチングをさせるようにしたものである。【解決手段】本発明はヒートシンク31には薄膜抵抗32および半導体レーザ素子19を設けたマイクロストリップ線路またはメタライズした配線33を形成し、このマイクロストリップ線路またはメタライズした配線33の一端部に高周波信号のリードードピン14を接続し他端部にグランド用のリードピン12を接続したものである。

請求項（抜粋）：

ステムに取り付けたヒートシンクと、このヒートシンクに取り付けた半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子に対向するようにステムに取り付け半導体レーザ素子をモニタしその出力制御する受光素子と、を備えたステム型半導体レーザ装置において、ヒートシンクには薄膜抵抗体および半導体レーザ素子を設けたマイクロストリップ線路またはメタライズした配線を形成し、このマイクロストリップ線路またはメタライズした配線の一端に高周波信号の入力用のリードピンを接続し他端にグランドに落とすリードピンを接続し、たことを特徴とするステム型半導体レーザ装置。

IPC (2件)：

H01S 5/022 , H01L 23/36

FI (2件)：

H01S 5/022 , H01L 23/36 Z

Fターム (13件)：

5F036AA01 , 5F036BB01 , 5F036BD13 , 5F073BA01 , 5F073EA14 , 5F073EA29 , 5F073FA01 , 5F073FA15 , 5F073FA18 , 5F073FA21 , 5F073FA27 , 5F073GA12 , 5F073GA24

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平4-337688
半導体レーザモジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-279524 出願人：松下電器産業株式会社
特開平2-220491

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