特許

J-GLOBAL ID：200903095787726999

プラズマ処理装置

発明者： 加賀谷 恵子
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 油井 透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-309074
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127047
出願日： 1999年10月29日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】【課題】 円筒電極へのダメージを極力減らす。【解決手段】 基板処理のための反応室2を構成するチャンバ1と、反応室2内を排気する排気機構と、反応室2内に処理ガスを導入するガス導入機構と、反応室2内の空間を囲うように配された放電用の円筒電極3と、該円筒電極3に高周波電力を印加する手段23と、円筒電極3の周囲に配され該円筒電極3の内面に沿う円筒軸方向に磁力線を発するリング磁石6、7とを備えたプラズマ処理装置において、円筒電極3の周囲のリング磁石6、7から発せられる磁力線Gのうちの多くのものが円筒電極3の内面を斜めに透過するようにリング磁石6、7の外周部にリターンヨーク30を設けた。

請求項（抜粋）：

基板処理のための反応室を構成するチャンバと、反応室内を排気する排気機構と、反応室内に処理ガスを導入するガス導入機構と、反応室内の空間を囲うように配された放電用の円筒電極と、該円筒電極に高周波電力を印加する手段と、前記円筒電極の周囲に配され該円筒電極の内面に沿う円筒軸方向に磁力線を発する磁力線発生手段とを備えたプラズマ処理装置において、前記円筒電極の周囲の磁力線発生手段から発せられる磁力線のうちの多くのものが円筒電極の内面を斜めに透過するように前記磁力線発生手段が構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/507 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

C23C 16/507 ,  C23F 4/00 G ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 B

Fターム (33件)：

4K030FA01 ,  4K030HA06 ,  4K030JA02 ,  4K030JA04 ,  4K030JA15 ,  4K030KA16 ,  4K030KA34 ,  4K030KA45 ,  4K057DA16 ,  4K057DB06 ,  4K057DB20 ,  4K057DD01 ,  4K057DM03 ,  4K057DM24 ,  4K057DN01 ,  5F004BA05 ,  5F004BA13 ,  5F004BB07 ,  5F004BB13 ,  5F004BB26 ,  5F004BB29 ,  5F004CA06 ,  5F004FA08 ,  5F045AA08 ,  5F045EB03 ,  5F045EB05 ,  5F045EH04 ,  5F045EH06 ,  5F045EH08 ,  5F045EH13 ,  5F045EH16 ,  5F045EH19 ,  5F045EK11