特許
J-GLOBAL ID：200903095792284740
半導体レーザ装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-109519
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067835
出願日： 1991年05月15日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：
【要約】【目的】 半導体超格子構造からなるMQW活性層の一部を自己整合的に無秩序化する。【構成】 基板21上に下クラッド層22、半導体超格子構造のMQW活性層33、上クラッド層34、コンタクト層35を形成し、高温において上記半導体超格子構造を無秩序化する作用をもった物質を含む薄膜36A、36Bを共振器端面に形成し、加熱処理により共振器端面38A、38B近傍の活性層の超格子構造を無秩序化して無秩序化領域37A、37Bからなる窓領域を構成することを特徴としている。
請求項（抜粋）：
基板上に下クラッド層、半導体超格子構造からなる活性層、上クラッド層、コンタクト層をこの順序で形成する工程と、高温において上記半導体超格子構造からなる活性層の一部を無秩序化する作用をもった物質を含む薄膜を共振器端面に形成する工程と、少なくとも上記共振器端面を加熱処理して該共振器端面近傍の半導体超格子構造を無秩序化して窓領域を構成する工程とを含む半導体レーザ装置の製造方法。
引用特許：
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