特許
J-GLOBAL ID:200903095797632828
磁気抵抗素子及び磁気メモリ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (8件):
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-094887
公開番号(公開出願番号):特開2008-252037
出願日: 2007年03月30日
公開日(公表日): 2008年10月16日
要約:
【課題】磁化反転に必要な書き込み電流をより低減する。【解決手段】磁気抵抗素子10は、磁化の方向が固定された固定層11と、膜面に垂直方向への通電により磁化の方向が変化可能な自由層13と、膜面に垂直方向への通電により磁化の方向が変化可能であり、かつ自由層13の磁化の方向の変化をアシストするアシスト層15と、固定層11と自由層13との間に設けられ、かつ非磁性体からなる中間層12と、自由層13とアシスト層15との間に設けられ、かつ非磁性体からなる中間層14とを具備する。そして、アシスト層15の磁化反転のためのエネルギー障壁は、自由層13の磁化反転のためのエネルギー障壁よりも小さい。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
磁化の方向が固定された固定層と、
膜面に垂直方向への通電により磁化の方向が変化可能な自由層と、
膜面に垂直方向への通電により磁化の方向が変化可能であり、かつ前記自由層の磁化の方向の変化をアシストするアシスト層と、
前記固定層と前記自由層との間に設けられ、かつ非磁性体からなる第1の中間層と、
前記自由層と前記アシスト層との間に設けられ、かつ非磁性体からなる第2の中間層と、
を具備し、
前記アシスト層の磁化反転のためのエネルギー障壁は、前記自由層の磁化反転のためのエネルギー障壁よりも小さいことを特徴とする磁気抵抗素子。
IPC (3件):
H01L 43/08
, H01L 21/824
, H01L 27/105
FI (2件):
H01L43/08 Z
, H01L27/10 447
Fターム (48件):
4M119AA03
, 4M119AA11
, 4M119BB01
, 4M119CC05
, 4M119DD02
, 4M119DD06
, 4M119DD07
, 4M119DD09
, 4M119DD17
, 4M119DD22
, 4M119DD33
, 4M119DD45
, 4M119EE23
, 4M119EE27
, 4M119FF05
, 4M119FF13
, 4M119FF15
, 4M119FF16
, 5F092AA04
, 5F092AB08
, 5F092AC08
, 5F092AC12
, 5F092AD12
, 5F092AD25
, 5F092BB10
, 5F092BB23
, 5F092BB24
, 5F092BB31
, 5F092BB34
, 5F092BB35
, 5F092BB36
, 5F092BB38
, 5F092BB43
, 5F092BB44
, 5F092BB49
, 5F092BB53
, 5F092BC04
, 5F092BC07
, 5F092BC13
, 5F092BC34
, 5F092BC43
, 5F092BC46
, 5F092BE06
, 5F092BE12
, 5F092BE13
, 5F092BE21
, 5F092BE25
, 5F092CA02
引用特許:
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