特許
J-GLOBAL ID：200903095799421565
起動回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-305532
公開番号（公開出願番号）：特開平9-146647
出願日： 1995年11月24日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：
【要約】【課題】P型DMOSFET1,2のカレントミラー回路と、N型DMOSFET3,4からなり、基準電圧生成回路02の起動時に、イネーブル入力03に電圧を印加してFET3,1,2をオンし、起動信号線8を介しFET2から起動電流を回路02に供給し、基準電圧出力04の確立後は、回路02からのフィードバック信号線7の電圧によってオンするFET4によって起動信号線8の電流をFET4側へ転ずる、従来の起動回路の動作後の電流消費を減らす。【解決手段】FET3と直列にN型DMOSFET6を挿入し、そのゲートをフィードバック信号線7を入力とするインバータ5の出力で駆動する。起動動作時、フィードバック信号線7の電位は0レベルから漸増し一定値となる。よってFET6は当初のオン状態からやがてオフに切換わり、FET3の電流を断つと共にFET1,2をオフし、起動信号線8の電流を断つ。
請求項（抜粋）：
第2のP型FETと自身のゲート・ドレイン間が接続された第1のP型FETとのソースを共に直流電源の正極に接続すると共に、この第1,第2のP型FETのゲート同士を共通接続し、第1のN型FETのドレインを第1のP型FETのドレインに接続すると共に、この第1のN型FETのソースを直流電源の負極に接続してなり、第1のN型FETのゲートにイネーブル入力電圧を印加して、この第1のN型FETと共に第1,第2のP型FETをオンして第2のP型FETのドレインから被起動回路に起動電流を供給する起動回路であって、前記被起動回路はこの起動電流の供給に基づいて起動し、正常の動作状態に到る間に、前記直流電源の負極に対する電位差が漸増し所定の飽和値に落着く帰還電圧を生成するものであるような起動回路において、第1のN型FETに直列に第2のN型FETを挿入し、この第2のN型FETを被起動回路が起動したのち正常動作状態に到る間に前記帰還電圧によってオンからオフに切換える切換手段を設けたことを特徴とする起動回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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