特許

J-GLOBAL ID：200903095800842626

強誘電体膜形成用スパッタリングターゲット

発明者： 森 暁 ,  内山 直樹
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 富田 和夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-098133
公開番号（公開出願番号）：特開平8-269699
出願日： 1995年03月30日
公開日（公表日）： 1996年10月15日
要約：

【要約】【目的】高電力でスパッタリングしても剥離および割れが発生することのない強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。【構成】 Ba、SrおよびTiの複合酸化物からなるペロブスカイト構造を有する強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、Caが0.1〜50ppm含まれていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

Ba、SrおよびTiの複合酸化物からなるペロブスカイト構造を有する強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、Caが0.1〜50ppm含まれていることを特徴とする強誘電体膜形成用スパッタリングターゲット。

IPC (5件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/08 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 ,  C01G 23/00

FI (5件)：

C23C 14/34 A ,  C23C 14/08 K ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S ,  C01G 23/00 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭59-199504
  
• 特開平2-124706