特許
J-GLOBAL ID：200903095801175380
固体撮像装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-013112
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206494
出願日： 1992年01月28日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】【目的】本発明は、波長数A〜数百AのX線領域に良好な感度を有し、かつ作成プロセスの困難性,動作不安定性を解消しえることを主要な目的とする。【構成】P型のSi基板(21)と、この基板表面でフィ-ルド酸化膜(22)で囲まれた素子領域に形成され,前記基板とフォトダイオ-ドを構成するN+ 型の拡散層(23)と、前記基板上に形成され,内部に前記拡散層(23)と接続する導電膜(25a,25b) を埋め込んでなる層間絶縁膜(24)と、この層間絶縁膜(24)上に形成され,前記導電膜と接続する画素電極(26)と、この画素電極上に形成された光電変換層(28)と、前記光電変換層(28)上に形成され,X線が入射される表面電極(30)とを具備することを特徴とする固体撮像装置。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板と、この基板表面でフィ-ルド酸化膜で囲まれた素子領域に形成され,前記基板とフォトダイオ-ドを構成する第2導電型の半導体層と、前記基板上に形成され,内部に前記半導体層と接続する導電膜を埋め込んでなる層間絶縁膜と、この層間絶縁膜上に形成され,前記導電膜と接続する画素電極と、この画素電極上に形成された光電変換層と、前記光電変換層上に形成され,X線が入射される表面電極とを具備することを特徴とする固体撮像装置。
IPC (4件)：
H01L 31/09
, G01T 1/15
, H01L 27/14
, H01L 31/10
H01L 31/00 A
, H01L 27/14 K
, H01L 31/10 A
