特許

J-GLOBAL ID：200903095801890969

半導体処理システム内の温度を制御する装置

発明者： ヴィジャイ パークヘ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 中村 稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-379494
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274231
出願日： 2000年11月08日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 半導体処理システム内の温度を制御する装置の提供。【解決手段】 本装置は、ペデスタルベース106と、ペデスタルベースの上に配置され外囲を画定する基板支持具105と、外囲内に配置された冷却プレートと、前記冷却プレート上に配置され前記基板支持具と接触するペルティエ効果熱電気デバイスとを備える。基板支持具は、単極、二極又は帯状構成の静電チャックでも良い。静電チャックは、1つ又はそれ以上のヒーター電極160と、RFバイアス可能な電極162を有する。

請求項（抜粋）：

処理システムの構成要素の温度を制御する装置において、ペデスタルベースと、前記ペデスタルベースの上に配置され外囲を画定する基板支持具と、前記外囲内に配置された冷却プレートと、前記冷却プレート上に配置され前記基板支持具と接触する複数のペルティエ効果熱電気デバイスとを備えることを特徴とする装置。

IPC (3件)：

H01L 21/68 ,  C23C 14/50 ,  C23C 16/46

FI (3件)：

H01L 21/68 R ,  C23C 14/50 E ,  C23C 16/46