特許
J-GLOBAL ID：200903095806019000
半導体ウェハの静電チャック解除方法及びその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐々木 宗治 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-149057
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022498
出願日： 1993年06月21日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：
【要約】【目的】 静電チャック時にウェハ表面に蓄積された電荷を取除く手段により静電吸着力を消失させ、ウェハ表面に形成されている半導体素子にダメージが生じることのないような半導体ウェハの静電チャック解除方法及びその装置を得る。【構成】 下部電極12上に載置されてプラズマ処理される半導体ウェハ22を静電吸着力により下部電極12に密着させる静電チャック手段を有するプラズマ処理装置における半導体ウェハの静電チャック解除方法であって、半導体ウェハ22に正対する上部電極13に正電位を印加して半導体ウェハ22に近接させることにより、プラズマ処理中の半導体ウェハ表面に誘起した負電荷を中和して静電チャックを解除する。
請求項（抜粋）：
一方の電極上に載置されてプラズマ処理される半導体ウェハを静電吸着力により上記一方の電極に密着させる静電チャック手段を有するプラズマ処理装置における半導体ウェハの静電チャック解除方法であって、上記半導体ウェハに正対する他方の電極に正電位を印加し、この他方の電極を上記半導体ウェハに近接させることにより、プラズマ処理中の上記半導体ウェハ表面に誘起した負電荷を中和して上記静電チャックを解除することを特徴とする半導体ウェハの静電チャック解除方法。
IPC (2件)：
H01L 21/68
, H01L 21/3065
