特許

J-GLOBAL ID：200903095808235923

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： 西 恒寛 ,  橘 誠一郎 ,  中島 睦雄 ,  金生 剛 ,  渡辺 武 ,  長谷川 幸士 ,  畠山 潤
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-123986
公開番号（公開出願番号）：特開2002-012631
出願日： 2001年04月23日
公開日（公表日）： 2002年01月15日
要約：

【要約】【解決手段】 下記一般式(1)及び(2)で示される単位を有する重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(R1はH、CH3又はCH2CO2R3、R2はH、CH3又はCO2R3、R3はアルキル基、R4はH、アルキル基、アルコキシアルキル基又はアシル基、R5はアルキル基又はアリール基、Yはヘテロ原子を含んでもよい2価の炭化水素基を示し、両端で結合する炭素原子と共に環を形成する。Zは3価の炭化水素基を示す。kは0又は1。Wは-O-又は-(NR)-を示し、Rは水素原子又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。)【効果】 本発明の高分子化合物をベース樹脂としたレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、エッチング耐性に優れているため、電子線や遠紫外線による微細加工に有用である。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)及び(2)で示される単位を有する重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(式中、R1は水素原子、メチル基又はCH2CO2R3を示す。R2は水素原子、メチル基又はCO2R3を示す。R3は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R4は水素原子、炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数2〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアルキル基、又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアシル基を示す。R5は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数6〜20の置換されていてもよいアリール基を示す。Yはヘテロ原子を含んでもよい炭素数4〜15の2価の炭化水素基を示し、両端で結合する炭素原子と共に環を形成する。Zは炭素数1〜10の3価の炭化水素基を示す。ZはR1と環を形成してもよく、その場合はR1はメチレン、Zは炭素数1〜10の4価の炭化水素基を示す。kは0又は1である。Wは-O-又は-(NR)-を示し、Rは水素原子又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。)

IPC (5件)：

C08F232/00 ,  C08F222/06 ,  C08F222/40 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

C08F232/00 ,  C08F222/06 ,  C08F222/40 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (31件)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC03 ,  2H025AC06 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB41 ,  2H025CB55 ,  2H025FA01 ,  2H025FA12 ,  4J100AK31Q ,  4J100AM43Q ,  4J100AR11P ,  4J100AR11R ,  4J100AR32R ,  4J100BA03P ,  4J100BA03R ,  4J100BA15P ,  4J100BA15R ,  4J100BC03P ,  4J100BC04P ,  4J100BC09P ,  4J100BC22P ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100JA38