特許
J-GLOBAL ID：200903095814618702

半導体レーザ素子及び光モジュール

発明者：
野本 悦子

野本 悦子 について

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中原 宏治

中原 宏治 について

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辻 伸二

辻 伸二 について

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嶋岡 誠

嶋岡 誠 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について

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日本オプネクスト株式会社

日本オプネクスト株式会社 について


代理人 (1件)： 小川 勝男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-055852
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258370
出願日： 2002年03月01日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：
【要約】【課題】 本発明の課題は、信頼性の高いリッジ型半導体レーザ素子及び光モジュールを得ることである。【解決手段】 リッジ型半導体レーザ素子において、p側電極は第1の導体層領域とこの上部の第2の導体層領域とを有する。そして、第2の導体層領域の少なくとも一方の端面が反射端面より内側に設定される。素子端面に対しての電極による応力に基づく歪が小さくなり、同時に過飽和吸収を起こさない構造を持つ。本発明によって、信頼性の高いリッジ型半導体レーザを得ることが出来る。こうした半導体レーザ素子を用いた光モジュールは極めて信頼性は高い。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板上に設けられ、少なくとも活性層を有する半導体積層体と、前記半導体基板の前記半導体積層体が設けられた側と反対側に設けられた電極と、前記半導体積層体側に設けられた電極とを少なくとも有し、前記半導体積層体は、当該半導体積層体が有する前記活性層に対して、その上部領域に、光の進行方向に長手方向を有する凸状の半導体積層体部分を有し、前記半導体積層体側の電極は、少なくとも前記凸状の半導体積層体部分の上面に接触し、且つ前記半導体積層体側の電極は複数の導体層で構成され、この複数の導体層の内の少なくとも一層、或いは少なくとも一層の当該導体層の端部部分より層の厚さの厚い一部領域が、当該半導体レーザの共振器を構成する反射面の少なくとも一方の端面位置より内側に、その導体層の端面位置或いは前記導体層の端部部分より厚さの厚い一部領域の端部位置を有することを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
H01S 5/042 612 ,  H01S 5/22
FI (2件)：
H01S 5/042 612 ,  H01S 5/22
Fターム (12件)：
5F073AA11 ,  5F073AA61 ,  5F073AA81 ,  5F073AB28 ,  5F073CA15 ,  5F073CB22 ,  5F073DA30 ,  5F073EA28 ,  5F073FA02 ,  5F073FA07 ,  5F073FA13 ,  5F073FA18
引用特許：
審査官引用 (15件)
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引用文献：
審査官引用 (2件)

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