特許

J-GLOBAL ID：200903095815058050

半導体集積回路装置及び半導体メモリ装置

発明者： 朴潤植
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (4件)： 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-218834
公開番号（公開出願番号）：特開2005-065249
出願日： 2004年07月27日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：

【課題】単一の基準抵抗器を利用して終端回路およびオフチップ駆動回路のインピーダンスを制御する装置を提供する。【解決手段】本発明による半導体集積回路装置は、外部基準抵抗器に連結され、外部基準抵抗器のインピーダンスに従って変更されるインピーダンス制御コードを発生するインピーダンス制御回路を含む。入力回路は入力信号伝送ラインを通じて外部信号が入力され、入力された信号を内部回路に出力する。終端回路はインピーダンス制御コードのうちの少なくとも一つに応答して入力信号伝送ラインを終端する。出力回路は内部回路から出力される信号に従って出力信号伝送ラインを駆動し、インピーダンスがインピーダンス制御コードに従って変更される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

外部基準抵抗器に連結され、前記外部基準抵抗器のインピーダンスに従って変更されるインピーダンス制御コードを発生するインピーダンス制御回路と、 入力信号伝送ラインを通じて外部信号が入力され、前記入力された信号を内部回路に出力する入力回路と、 前記インピーダンス制御コードのうちの少なくとも一つに応答して前記入力信号伝送ラインを終端する終端回路と、 前記内部回路から出力される信号に従って出力信号伝送ラインを駆動し、インピーダンスが前記インピーダンス制御コードに従って変更される出力回路とを含むことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H03K19/0175 ,  G11C11/401 ,  G11C11/409

FI (5件)：

H03K19/00 101Q ,  G11C11/34 354P ,  G11C11/34 354Q ,  H03K19/00 101F ,  G11C11/34 362Z

Fターム (31件)：

5J056AA01 ,  5J056AA04 ,  5J056AA40 ,  5J056BB53 ,  5J056CC00 ,  5J056CC09 ,  5J056CC17 ,  5J056DD00 ,  5J056DD13 ,  5J056DD28 ,  5J056EE06 ,  5J056EE07 ,  5J056FF08 ,  5J056GG13 ,  5J056GG14 ,  5M024AA40 ,  5M024AA50 ,  5M024AA56 ,  5M024BB03 ,  5M024BB04 ,  5M024BB33 ,  5M024BB34 ,  5M024DD32 ,  5M024DD40 ,  5M024DD60 ,  5M024HH09 ,  5M024JJ03 ,  5M024LL19 ,  5M024PP01 ,  5M024PP02 ,  5M024PP03

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 米国特許第5,666,078号
  
• 米国特許第5,955,894号
  
• 米国特許第6,157,206号
  
• 韓国公開特許第10-0332455号