特許

J-GLOBAL ID：200903095816657365

電子放出素子、電子源、画像形成装置、及び電子放出素子の製造方法

発明者： 野村 和司 ,  長田 芳幸
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 世良 和信 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-280354
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093308
出願日： 2000年09月14日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】【課題】 電子放出を良好に行う電界を形成する高性能な電子放出素子及び電子源、さらには高精細で均一な表示特性を有する画像形成装置、そして容易に作製可能とする電子放出素子の製造方法を提供する。【解決手段】 放出電子は等電位面6に略垂直に進むことから、電子放出膜5から放出された電子は電子放出膜5の表面に略垂直に進み、放出電子が微小孔の側壁に衝突する割合が軽減される。また、放出電子がアノード電極8に到達した時の電子の電子ビーム径が小さくなる。

請求項（抜粋）：

第1電極及び該第1電極上に絶縁層を介在して積層される第2電極と、前記第2電極及び前記絶縁層を貫通した孔の底面に設けられた電子放出部と、を備えた電子放出素子であって、前記絶縁層は複数の層から構成され、該複数の層のうち前記第1電極側の層の誘電率が、前記第2電極側の層の誘電率よりも大きいことを特徴とする電子放出素子。

IPC (4件)：

H01J 1/304 ,  H01J 9/02 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12

FI (4件)：

H01J 9/02 B ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C ,  H01J 1/30 F

Fターム (9件)：

5C031DD17 ,  5C031DD19 ,  5C036EE01 ,  5C036EE02 ,  5C036EE03 ,  5C036EE14 ,  5C036EF06 ,  5C036EG12 ,  5C036EH06