特許
J-GLOBAL ID：200903095816949706
半導体不揮発性メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-136782
公開番号（公開出願番号）：特開平9-320289
出願日： 1996年05月30日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：
【要約】【課題】 セルトランジスタの閾値のシフトによって保持データが反転する不具合を未然に防止する。【解決手段】 半導体不揮発性メモリにおいて、データの読出しのためにプリチャージされたビット線の電位(VBL)が、基準レベルVL と中間レベルVM との相互間、または、基準レベルVH と中間レベルVM との相互間、にあるかどうかを判別し、データを読出した記憶セルに“1”または“0”の書直しを行う。
請求項（抜粋）：
データの書込み及び消去が電気的に可能になされた不揮発性記憶セルを行列状に配置し、ビット線群及びワード線群によって指定アドレスに対応する記憶セルを選択可能にしたセルアレイを有する半導体不揮発性メモリであって、前記データの第1及び第2の値にそれぞれ対応する第1及び第2の基準レベルと、前記第1及び第2の基準レベルの中間値の中間レベルと、を発生する基準レベル発生手段と、アドレス指定された記憶セルからのデータの読出しのためにプリチャージされたビット線の電位が、前記第1の基準レベルと前記中間レベルとの相互間、または、第2の基準レベルと前記中間レベルとの相互間、にあるかどうかを判別する判別手段と、前記ビット線の電位が、前記第1の基準レベルと前記中間レベルとの相互間にあるとき、データを読出した記憶セルに第1の値を書込み、前記第2の基準レベルと前記中間レベルとの相互間にあるとき、前記データを読出した記憶セルに第2の値を書込む、データ書直し手段と、を備えることを特徴とする半導体不揮発性メモリ。
FI (2件)：
G11C 17/00 520 A
, G11C 17/00 309 F
