特許
J-GLOBAL ID：200903095819838018
半導体レーザ素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-335255
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164978
出願日： 1998年11月26日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：
【要約】【課題】高出力半導体レーザの共振器後端面高反射膜において四分の一波長膜を積層すると膜層数が増え、膜厚ずれによる反射率低下、長時間プロセス、膜応力による膜はがれなどの問題があった。【解決手段】赤色高出力半導体レーザ後端面部の高反射膜として、レーザの発振波長において透明で、低屈折率膜の屈折率の値を高屈折率膜の屈折率の値で除したときに0.72以下になるような膜の組み合わせを用いて積層膜層数を減らすことにより、不良率を低減し、工程を簡略化する。
請求項（抜粋）：
活性層と上記活性層を挟んで設けた活性層よりも広い禁制帯幅で互いに異なる導電型を有する半導体層よりなる二種類のクラッド層を有し、上記層構造の最上層および最下層には電極を有し、層構造に垂直に設けた結晶面を反射鏡として共振器を構成し、少なくとも一方の共振器端面に第1の誘電体膜または半導体膜と第2の誘電体膜または半導体膜とを交互に積層した保護膜を有する半導体レーザにおいて、上記保護膜を形成する材料として、使用温度および上記半導体レーザの発振波長領域における上記共振器端面に積層する第1の膜の屈折率を第2の膜の屈折率で除した値が0.72以下である組み合わせとし、上記積層膜の4周期以下の積層数を有する保護膜を形成したときの発振波長の光に対する反射率が90%以上としたことを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 3/18 640
, H01S 3/18 618
5F073AA13
, 5F073AA74
, 5F073AA83
, 5F073AA87
, 5F073BA06
, 5F073CA14
, 5F073CB02
, 5F073CB20
, 5F073DA33
, 5F073EA28
