特許

J-GLOBAL ID：200903095820826856

多結晶半導体部材およびその作成方法

発明者： 羽賀 浩一
出願人/特許権者： 株式会社東北テクノアーチ ,  シャープ株式会社
代理人 (1件)： 重信 和男 (外5名)
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2001003998
公開番号（公開出願番号）：WO2002-017368
出願日： 2001年05月14日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：

【要約】透明基板110上に例えば蒸着を用いて、Al膜120を形成する((a)-(b)参照)。次に、Al膜120の表面に直流バイアスを加えて、スパッタ法により第1の酸化亜鉛薄膜130を形成する(c)。第1の酸化亜鉛薄膜130の表面に第2の酸化亜鉛薄膜140を常圧MO-CVD法により形成する(d)。a軸配向性のある第1の酸化亜鉛薄膜130上に、MO-CVD法で堆積した第2の酸化亜鉛薄膜140を形成すると、この第2の酸化亜鉛薄膜140はa軸配向性を有することになる。Al薄膜120は、MO-CVD法で堆積するときの加熱により、第1の酸化亜鉛薄膜内に吸収されるので、透過率が高くなり、ZnO/ZnO/Al/ガラス構造の試料は全体として透明性が高い。

請求項（抜粋）：

多結晶透明半導体部材の作成方法であって、 透明な支持基板上に、導電膜を形成し、前記形成した導電膜に直流バイアスを印加して、スパッタリング法によりa軸配向性を有する多結晶酸化亜鉛薄膜を作成し、 MO-CVD法により、a軸配向性を有する第2の多結晶酸化亜鉛薄膜を、前記多結晶酸化亜鉛薄膜上に形成する工程を備え、 前記MO-CVD法は、水和性のアセチルアセトン亜鉛を原料に使用することを特徴とする多結晶透明半導体部材の作成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/365 ,  H01L 21/363 ,  H01L 29/786

FI (4件)：

H01L 21/365 ,  H01L 21/363 ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 626 C