特許

J-GLOBAL ID：200903095828115193

電界効果トランジスタ、及びその製造方法

発明者： 宇野沢 浩精
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 弘男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-196028
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031467
出願日： 1998年07月10日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】 トランスコンダクタンスの大きい高性能のFETを提供する。【解決手段】 電解効果トランジスタは、GaAs基板1上に、アンドープGaAsとアンドープAlGaAsとアンドープGaAsからなるバッファ層2と、アンドープInx Ga1-x Asのチャネル層3と、n型Iny Ga1-y Pの電子供給層4と、n型GaAsのキャップ層6を積層した構造をしている。そして製造時にInGaP結晶の成長速度が0.6μm/h以下となるようにIII 族原料ガスを調整し、V/III 比を400〜600、および成長温度640〜660°CでInGaPのEgが極小となる条件に設定する。これにより、自然超格子が最も形成されやすい条件のもとでInGaP結晶が成長され、チャネル内のInGaP電子供給層側を走行する電子は、自然超格子を形成したInGaP層の影響による界面の散乱が少なくなることからトランスコンダクタンスの大きい高性能のFETが実現できる。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上にInGaAsチャネル層とInGaP電子供給層を有する電界効果トランジスタにおいて、自然超格子を形成したInGaP電子供給層を有し、かつ[-110]方向に延びるゲートフィンガーを有することを特徴とした電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 21/205

Fターム (28件)：

5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AD10 ,  5F045AF04 ,  5F045BB12 ,  5F045CA07 ,  5F045CB01 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK05 ,  5F102GK06 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM06 ,  5F102GN05 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS04 ,  5F102GT04 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15