特許

J-GLOBAL ID：200903095828737135

半導体素子およびその製造方法

発明者： 内田 正雄 ,  北畠 真 ,  高橋 邦方 ,  楠本 修 ,  山下 賢哉 ,  宮永 良子
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (6件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  原田 智雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-189468
公開番号（公開出願番号）：特開2005-026408
出願日： 2003年07月01日
公開日（公表日）： 2005年01月27日
要約：

【課題】高い耐圧を有する半導体素子とその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明のショットキーダイオード10は、n型4H-SiCからなる半導体基板11と、半導体基板11の上に設けられた4H-SiCからなる第1SiC層12と、第1SiC層12の上に設けられ、ニッケルからなるショットキー電極14と、半導体基板11の下面上に設けられ、ニッケルからなるオーミック電極15とから構成されている。第1SiC層12のうちの一部に他の領域よりも高い濃度のn型不純物を有する高濃度層12bが設けられている。これにより、ショットキー電極14の下端部と第1SiC層12とが接する領域で集中する電界を緩和することができるので、耐圧を向上させることができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 上記半導体基板の上面上に設けられた第1導電型の第1半導体層と、 上記第1半導体層の上方に設けられた第1の電極と、 上記半導体基板の下方に設けられた第2の電極とを備える半導体素子であって、 上記第1半導体層は、第1濃度層と、上記第1濃度層の上に設けられた第2濃度層と、上記第2濃度層の上に設けられた第3濃度層とを有し、上記第2濃度層の第1導電型の不純物濃度は、上記第1濃度層と上記第3濃度層との第1導電型の不純物濃度よりも高いことを特徴とする半導体素子。

IPC (3件)：

H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

FI (5件)：

H01L29/48 F ,  H01L29/48 P ,  H01L29/48 E ,  H01L29/91 F ,  H01L29/48 D

Fターム (19件)：

4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD23 ,  4M104DD26 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104FF31 ,  4M104FF35 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104HH12 ,  4M104HH20