電界放出型冷陰極装置及びその製造方法、並びに真空マイクロ装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-199003
公開番号（公開出願番号）：特開2002-015658
出願日： 2000年06月30日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：

【要約】【課題】極低電圧で高電流強度の電界放出を行うことが可能な電界放出型冷陰極装置を提供する。【解決手段】ダイヤモンド基板11上にCVDにより形成されたアンドープダイヤモンド膜12が積層され、ダイヤモンド膜12の表面にn型ダイヤモンド層13が形成される。平面型のエミッタ1Eに対応する位置には、ダイヤモンド層13の表面に水素が吸着することにより形成された水素終端ダイヤモンド層からなるの表面層16が配設される。ダイヤモンド層13の表面にはまた、ダイヤモンド層13の表面に酸化処理をすることにより形成された含酸素有機層からなる絶縁層14が配設される。絶縁層14上にはエミッタ1Eに臨むようにゲート電極15が配設される。開口19を通してエミッタ1Eと対向するようにアノード電極17が配設される。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に配設されたダイヤモンド膜を具備する電子を放出するためのエミッタと、前記ダイヤモンド膜の表面に形成された、厚さ5nm以下の含酸素有機層からなる絶縁層と、前記絶縁層上に配設されたゲート電極と、を具備することを特徴とする電界放出型冷陰極装置。

IPC (4件)：

H01J 1/304 , H01J 9/02 , H01J 29/04 , H01J 31/12

FI (4件)：

H01J 9/02 B , H01J 29/04 , H01J 31/12 C , H01J 1/30 F

Fターム (9件)：

5C031DD17 , 5C036EE19 , 5C036EF01 , 5C036EF06 , 5C036EF09 , 5C036EG02 , 5C036EG12 , 5C036EH11 , 5C036EH17

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