半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲本義雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-207184
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045538
出願日： 1992年07月10日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：

【要約】【目的】同一基板上に耐圧特性の異なる複数の半導体素子をモノリシックに形成する。【構成】出力用高耐圧素子16および制御用低耐圧素子15と、基板1上の間に埋込層3、4を形成し、その埋込層を拡散係数の異なる材料によって形成したので、拡散係数の大きい材料で形成した埋込層4は厚みが厚くなり、他方は薄くなる。これによって埋込層4と制御用低耐圧素子15までの間隔は他方よりも厚くなり、コレクタ抵抗を少なく形成できる。埋込層3は埋込層4より薄く形成されるので出力用高耐圧素子16と埋込層3との間の距離が大きくとれ、高耐圧を確保できる。

請求項（抜粋）：

少なくとも2種類の半導体素子を同一基板上にモノリシックに形成し、各半導体素子の耐圧を異なったものとする半導体装置において、それぞれの半導体素子と基板との間に埋込層を設け、耐圧の高い方の半導体素子に対応する埋込層の厚みを他方よりも薄くすることを特徴とする半導体装置。

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