特許
J-GLOBAL ID：200903095833695076
結晶シリコン太陽電池
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-118001
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326786
出願日： 1994年05月31日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：
【要約】【目的】 p型の結晶シリコン半導体基板を用いて受光面にpn接合を有する太陽電池に関し、変換効率の高い太陽電池を提供する。【構成】 受光面に2つのn型半導体層の領域を設け、2つのn型半導体層をp型基板あるいはp+ 型半導体層によって分離し、一方の受光面電極に接続されるn型半導体層を受光面に島状に形成するとともに、他方の受光面電極に接続されないn型半導体層の表面をパッシベーション膜で覆ったことを特徴とする太陽電池。【効果】 受光面電極に接続されたpn接合における飽和電流を低減するとともに、p型基板内で発生した光発生キャリアの表面再結合損失を十分に低減することによって、高い変換効率の太陽電池を得ることができる。
請求項（抜粋）：
p型の結晶シリコン半導体からなり、一主面を受光面とする基板と、該基板一主面に接して島状に形成され、該基板に対向して受光面電極が備えられた第1のn型半導体層と、前記基板一主面に接して形成され、該基板に対向してパッシベーション膜が備えられた第2のn型半導体層と、を具備してなり、前記第1のn型半導体層と第2のn型半導体層とは前記基板により分離されてなることを特徴とする結晶シリコン太陽電池。
FI (2件)：
H01L 31/04 A
, H01L 31/04 F
