特許

J-GLOBAL ID：200903095838483280

イオン注入方法

発明者： 杉山 賢司 ,  佐々木 純
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 青木 朗 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-063090
公開番号（公開出願番号）：特開平5-078840
出願日： 1991年03月27日
公開日（公表日）： 1993年03月30日
要約：

【要約】【目的】 立体形状の被処理材料に金属等のイオン注入を効率的に行うことを目的とする。【構成】 処理チャンバ1中に設置した被処理材料2に、処理チャンバ1を介し負極性の直流電圧をバイアス電源3により印加する。この状態でカソード4とアノード5との間に点孤電極6によりアーク放電を生じさせる。アーク放電のパルス長はアーク電源7により制御する。カソード材料が蒸発・イオン化しプラズマ8を形成する。プラズマ8はチャンバ中を材料方向に移動する。材料2にはプラズマに対し負のバイアスが印加されているので、プラズマ中の正イオンが加速されて材料全面に一斉に注入が行われる。

請求項（抜粋）：

真空中でパルス状のアーク放電を起こしてカソード材料を蒸発・イオン化して生成したプラズマ中に置いた被処理材料に、該プラズマに対して負極性のバイアス電圧を印加することを特徴とするイオン注入方法。