特許
J-GLOBAL ID:200903095840419220
レベルシフト回路
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
青山 葆 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-310126
公開番号(公開出願番号):特開2003-115752
出願日: 2001年10月05日
公開日(公表日): 2003年04月18日
要約:
【要約】【課題】 高耐圧素子の電流シンク能力は、ゲート〜ソース間に印加される電圧Vgsに依存するため、数100Vの電圧がドレインからソース間に印加されている状態で、ゲート〜ソース間に、高い電圧が印加されると、過大電流により素子破壊に至る。【解決手段】 数Vのレベル信号を高レベルの信号に変換・伝達するレベルシフト回路において、信号レベル変換部に用いられる高耐圧素子のゲート〜ソース間に印加された過大電圧を低減する電圧低減手段として、ゲート〜ソース間に、アノードをソース側にしてツェナーダイオードを接続して、高耐圧素子に過大電流が流れないようにした。
請求項(抜粋):
数Vのレベル信号を高レベルの信号に変換・伝達するレベルシフト回路において、信号レベル変換部に用いられる高耐圧素子のゲート〜ソース間に印加された過大電圧を低減する電圧低減手段を備えたことを特徴とするレベルシフト回路。
IPC (4件):
H03K 17/08
, H02M 1/08
, H02M 7/48
, H02M 7/538
FI (4件):
H03K 17/08 C
, H02M 1/08 A
, H02M 7/48 M
, H02M 7/538 A
Fターム (25件):
5H007CA02
, 5H007CB06
, 5H007DB03
, 5H007FA03
, 5H740BA11
, 5H740BB01
, 5H740BB08
, 5H740HH05
, 5H740JA01
, 5H740JB01
, 5H740KK01
, 5J055AX32
, 5J055BX16
, 5J055CX00
, 5J055DX22
, 5J055DX65
, 5J055EX07
, 5J055EY01
, 5J055EY12
, 5J055EY13
, 5J055EY21
, 5J055EZ03
, 5J055EZ07
, 5J055FX20
, 5J055GX01
引用特許:
審査官引用 (5件)
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レベルシフト回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-234121
出願人:松下電工株式会社
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特開平1-196913
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特開平1-196913
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