特許

J-GLOBAL ID：200903095843898781

半導体装置及びその製造方法

発明者： 松永 範昭 ,  柴田 英毅
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-000405
公開番号（公開出願番号）：特開平11-195706
出願日： 1998年01月05日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：

【要約】【課題】 スルーホール配線に対する電気的な遮蔽効果を高めることを可能とする。【解決手段】 半導体基板11を貫くスルーホールの内側に側壁絶縁膜22を介してスルーホール配線23が形成された半導体装置において、スルーホールの側壁となる半導体基板11と側壁絶縁膜22との間に側壁導電体層21aが形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板を貫くスルーホールの内側に側壁絶縁膜を介してスルーホール配線が形成された半導体装置において、前記スルーホールの側壁となる半導体基板と前記側壁絶縁膜との間に側壁導電体層が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/06 ,  H05K 3/40

FI (3件)：

H01L 21/90 Z ,  H05K 3/40 K ,  H01L 27/06 102 E