特許

J-GLOBAL ID：200903095848129689

半導体装置の製造方法

発明者： 高岡 裕二
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-176881
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026589
出願日： 1997年07月02日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：

【要約】【課題】より安定したフューズ切断方法を提案し、フューズ配線の微細化を可能とする半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上に複数のフューズを形成する工程と、該フューズを被覆して全面にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に電子ビームを照射することにより前記フューズを切断する工程、および前記レジスト膜を除去する工程を有する半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に複数のフューズを形成する工程と、該フューズを被覆してレジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜を露光し、エッチングして前記フューズを切断する工程と、前記レジスト膜を除去する工程を有する半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/82 ,  H01L 27/10 431

FI (2件)：

H01L 21/82 F ,  H01L 27/10 431