特許

J-GLOBAL ID：200903095853905280

単結晶成長用基体

発明者： 磯上 峯男 ,  鷹野 致和
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-177104
公開番号（公開出願番号）：特開平8-040799
出願日： 1994年07月28日
公開日（公表日）： 1996年02月13日
要約：

【要約】【目的】 欠陥の極めて少ない良質な窒化アルミニウム薄膜を合成し得る新規で優れた単結晶成長用基体を提供すること。【構成】 窒化アルミニウム単結晶を気相成長させる主面が、立方晶系,三方晶系,又は六方晶系のいずれかの結晶系に属する単結晶から成り、かつ該主面の格子面間隔の整数倍をA、窒化アルミニウム単結晶の成長方向における格子面間隔の整数倍をBとしたときに、|A-B|/Aの値が0.08以下であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

窒化アルミニウム単結晶を気相成長させる基体の主面が、立方晶系,三方晶系,又は六方晶系のいずれかの結晶系に属する単結晶から成り、かつ該主面の格子面間隔の整数倍をA、窒化アルミニウム単結晶の成長方向における格子面間隔の整数倍をBとした場合に、下記式(1)を満足する単結晶成長用基体。|A-B|/A ≦ 0.08 ・・・ (1)

IPC (4件)：

C30B 29/38 ,  C01B 21/072 ,  C30B 25/18 ,  H01L 21/205