半導体メモリ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田澤博昭 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-265463
公開番号（公開出願番号）：特開平11-306799
出願日： 1998年09月18日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：

【要約】【課題】従来のフラッシュメモリなどでは、フローティングゲート電極に注入した電荷が経時的に消失することでデータの誤反転が生じるなどの課題があった。【解決手段】読出用メモリ素子2aとともに、これよりもフローティングゲート電極に注入した電荷が早く消失する検出用メモリ素子3aを設けたものである。

請求項（抜粋）：

フローティングゲート電極を有するとともにこのフローティングゲート電極に注入された電荷量に応じたレベルの電圧を有する読出信号を出力する1またはそれ以上の読出用メモリ素子と、上記読出用メモリ素子と同一の半導体基板上に形成され、フローティングゲート電極に注入された電荷量に応じたレベルの電圧を有する検出信号を出力する1またはそれ以上の検出用メモリ素子と、上記読出信号の電圧レベルを第1の閾値電圧に基づいて判別して読出データを出力する読出用センスアンプと、上記検出信号の電圧レベルを第2の閾値電圧に基づいて判別して検出データを出力する検出用センスアンプとを具備し、上記検出用メモリ素子および上記検出用センスアンプの少なくとも一方は、フローティングゲート電極の電荷の経時変化において上記読出データよりも上記検出データの方が早く誤りデータ反転を生じるように形成されていることを特徴とする半導体メモリ。

IPC (3件)：

G11C 29/00 673 , G11C 29/00 , G11C 16/06

FI (3件)：

G11C 29/00 673 W , G11C 29/00 673 V , G11C 17/00 634 C

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