特許
J-GLOBAL ID：200903095857750485
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-302089
公開番号（公開出願番号）：特開平6-150672
出願日： 1992年11月12日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】ゲート負電圧印加の消去方式を採用した不揮発性半導体記憶装置において、書込み時のドレインディスターブ耐性低下の解消を内部回路によって行なう。【構成】不揮発性半導体記憶装置内にデータの遷移回路と動作のための制御回路を具備し、外部制御信号もしくはカウンターの内容により、現在メモリセルトランジスタに保持されているデータを読出し、そのデータを遷移回路によって書込み回路に移動さえ、最後にそのデータを同じメモリセルトランジスタに追加書込みする、という一連の動作を内部的にかつ自動的に行なう。
請求項（抜粋）：
複数のメモリセルトランジスタからなるメモリセルアレイと、前記複数のメモリセルトランジスタのコントロールゲートとに共通接続された複数のワード線と、前記複数のメモリトランジスタのドレインに共通接続された複数のビット線と、前記複数のワード線を駆動する行デコーダと、前記複数のビット線に接続され前記ビット線を選択する列選択トランジスタ群と、センスアンプと、書込み回路とを有する不揮発性半導体記憶装置において、外部端子からの制御入力によって内部制御信号を発生させる制御回路と、前記センスアンプによって読み出された前記メモリセルトランジスタに保持されたデータ信号を前記書込み回路に内部的に遷移させる遷移回路を備え、前記制御入力に対して前記メモリセルからのデータ信号の読出しと前記センスアップから前記書込み回路への前記データ信号の遷移と前記データ信号の前記メモリセルへの追加書込みとの一連の動作を行なう事を特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 309 A
, H01L 27/10 434
