特許
J-GLOBAL ID：200903095862422135

半導体装置の製造方法及び製造装置

発明者：
西野 弘剛

西野 弘剛 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-367288
公開番号（公開出願番号）：特開2000-195835
出願日： 1998年12月24日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：
【要約】【課題】 レジストや汚染有機物除去、酸化物薄膜形成、熱酸化等を低温かつプラズマダメージ無しに行う。【解決手段】 300nm 以下の波長の光照射、触媒との接触、110 °C以上の加熱、電気化学反応、微小液滴の加熱等により、過酸化水素を含む液体や気体からOH等のラジカルを多量に含む液体やガスを生成し、ウエハに供給する。
請求項（抜粋）：
過酸化水素を含むガスもしくは液体に曝露させた被処理基板表面に、300nm 以下の波長の光を照射することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 645 ,  H01L 21/304 647 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/306
FI (4件)：
H01L 21/304 645 D ,  H01L 21/304 647 Z ,  H01L 21/30 572 B ,  H01L 21/306 D
Fターム (15件)：
5F043AA02 ,  5F043BB01 ,  5F043CC16 ,  5F043DD02 ,  5F043DD07 ,  5F043DD08 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F043GG10 ,  5F046MA02 ,  5F046MA03 ,  5F046MA04 ,  5F046MA07 ,  5F046MA12 ,  5F046MA13
引用特許：
審査官引用 (7件)
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