特許
J-GLOBAL ID：200903095865992080
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-203369
公開番号（公開出願番号）：特開平8-070038
出願日： 1994年08月29日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：
【要約】【目的】埋込型素子分離領域の上面の高さを制御性よく所定の値にすることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【構成】半導体基板101の主面101M上に開口部103を有するマスク膜102を形成し、マスク膜102をマスクにして半導体基板に溝104を形成し、絶縁膜105で溝104を充填し、絶縁膜105の上面105Mをマスク膜102の上面102Mに一致させ、マスク膜102を除去して、これにより半導体基板101に埋込まれかつ主面101Mから所定の高さ突出した埋込型素子分離領域を絶縁膜105から構成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の主面上に所定の膜厚を有しかつ前記主面に達する開口部を有するマスク膜を形成する工程と、前記マスク膜をマスクにして前記開口部内に露出する前記半導体基板に溝を形成する工程と、前記マスク膜と異なる材質の絶縁膜で前記溝を充填し、かつ前記絶縁膜の上面を前記マスク膜の上面に一致させる工程と、前記マスク膜を除去する工程とを有し、これにより前記半導体基板に埋込まれかつ前記主面から所定の高さ突出した埋込型素子分離領域を前記絶縁膜から構成したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/76
, H01L 21/316
, H01L 27/08 331
, H01L 29/78
H01L 21/76 L
, H01L 29/78 301 R
