特許
J-GLOBAL ID：200903095867326940
プラズマエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-317518
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163538
出願日： 1992年11月26日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】 エッチングガスとして塩素系ガス及び窒素系ガスを用いても、選択比が高くかつ後工程に影響を与えることないAl合金膜の異方性エッチングを行い得るプラズマエッチング方法を提供すること。【構成】 Si基板1上にSiO2 膜2,Al合金膜4またはTiN膜3及びAl合金膜4,レジスト膜5をこの順に堆積し、レジスト膜5上にSOG 膜6を5,000 Å以下となるように堆積する。そしてレジスト膜5及びSOG 膜6をパターニングし、パターニングしたレジスト膜5及びSOG 膜6をマスクとしてCl2 +N2 混合ガスによるプラズマにてAl合金膜4またはTiN膜3及びAl合金膜4をエッチングする。
請求項（抜粋）：
エッチングガスとして塩素系ガス及び窒素系ガスを用い、レジストをマスクとしてアルミニウム合金膜をプラズマエッチングする方法において、前記レジスト上に酸化膜を堆積し、該酸化膜及び前記レジストをマスクとしてエッチングすることを特徴とするプラズマエッチング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/302
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (11件)
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