特許

J-GLOBAL ID：200903095877349337

ヘテロ接合型半導体電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者： ▲やん▼東航 ,  張堅 ,  王軍 ,  王海波 ,  嚴鉉俊
出願人/特許権者： 中國科學院長春應用化學研究所
代理人 (4件)： 宮崎 昭夫 ,  金田 暢之 ,  伊藤 克博 ,  石橋 政幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-003290
公開番号（公開出願番号）：特開2004-235624
出願日： 2004年01月08日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：

【課題】 ディプレッション型動作モードとベルセ(verse)型動作モードを有するヘテロ接合型電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 チャネル領域と、チャネル領域を介して対向して配置されたソース電極とドレイン電極と、少なくともチャネル領域を覆う絶縁層と、チャネル上の絶縁層上に形成されたゲート電極とからなるヘテロ接合型電界効果型トランジスタにおいて、 ソース電極とドレイン電極とは1導電型の第2半導体層上に形成され、逆導電型の第1半導体層は、第2半導体層とソース電極とドレイン電極上に形成され、ゲート電極は、第1半導体層上に絶縁膜を介して形成されていることを特徴とするヘテロ接合型電界効果型トランジスタ。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

チャネル領域と、前記チャネル領域を介して対向して配置されたソース電極とドレイン電極と、少なくとも前記チャネル領域を覆う絶縁層と、前記チャネル上の前記絶縁層上に形成されたゲート電極とからなる電界効果型トランジスタにおいて、 前記ソース電極とドレイン電極とは1導電型の第2半導体層上に形成され、逆導電型の第1半導体層は、前記第2半導体層と前記ソース電極と前記ドレイン電極上に形成され、 前記ゲート電極は、前記第1半導体層上に前記絶縁膜を介して形成されていることを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L29/786 ,  H01L51/00

FI (3件)：

H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28

Fターム (24件)：

5F110AA08 ,  5F110BB01 ,  5F110BB11 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF28 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ06

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 有機薄膜トランジスタ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-345004   出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
• 有機電界効果型素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-205286   出願人：株式会社東芝