特許

J-GLOBAL ID：200903095878775933

多層回路基板及びその製法

発明者： 小川 敏夫 ,  浅井 忠道 ,  神村 典孝 ,  加藤 修治 ,  長谷川 満
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 中本 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-250371
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077665
出願日： 1992年08月27日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】 低抵抗性の導体配線を内蔵し、かつ高精度の電気的特性を有する膜状受動素子を包含した小型、高密度のハイブリッドIC用多層回路基板及びその製法と用途とを提供すること。【構成】 絶縁性材料を積層して構成された層間22に、Au、Ag、Cuなどの抵抗率5μΩ-cmを超えない低抵抗性導体配線16を有し、かつ表層部21に膜状受動素子12が配置された多層回路基板において、該基板表面の膜状受動素子の少なくともトリミング工程におけるレーザービームの照射される部分13に対応した位置に、耐熱性表層部21を設けることによって、該トリミング工程を容易ならしめ、高精度の電気的特性を有する受動素子を包含した多層回路基板としたものである。

請求項（抜粋）：

絶縁性材料を積層して構成された層間に、抵抗率5μΩ-cmを超えない低抵抗性導体配線を有し、かつ表層部に膜状受動素子が配置された多層回路基板において、該基板表面の全面又は少なくとも該膜状受動素子が配置された一部に耐熱性表層部が形成されていることを特徴とする多層回路基板。

IPC (6件)：

H05K 3/46 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/15 ,  H01L 27/01 311 ,  H05K 1/16 ,  H05K 3/28

FI (2件)：

H01L 23/12 N ,  H01L 23/14 C