特許

J-GLOBAL ID：200903095879275535

半導体集積回路装置

発明者： 森 和孝
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 玉村 静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-235389
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061434
出願日： 1992年08月11日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】【目的】 低電源電圧で高速動作可能なBiCMOS型の半導体集積回路装置を提供することにある。【構成】 Nチャンネル型MOSトランジスタ3N及びPチャンネル型MOSトランジスタ3Pは、厚いシリコン酸化膜2上に形成したシリコン薄膜4上に形成する。該シリコン薄膜4は、シリコン基板(バルク・シリコン)上に直接形成したMOSトランジスタがオン状態のときに形成される空乏層よりも薄くされ、スレシュホルドVthをスケールダウンさせることができる。バイポーラトランジスタ5はシリコン膜4上に成長させたシリコンとゲルマニウムを含む合金膜に形成させたものであり、バイポーラトランジスタの順方向電圧Vbeをスケールダウンさせることができる。

請求項（抜粋）：

同一半導体基板にNチャンネル型MOSトランジスタとPチャンネル型MOSトランジスタとバイポーラトランジスタとを有する半導体集積回路装置において、前記MOSトランジスタは酸化シリコン膜上のシリコン表面に形成され、該酸化シリコン膜上のシリコンは、シリコン基板に直接形成されるMOSトランジスタがオン状態のときに形成される空乏層よりも薄く、前記バイポーラトランジスタの少なくともベース部はシリコンとゲルマニウムを含む化合物によって形成されて成るものであることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4件)：

H01L 27/06 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (2件)：

H01L 27/06 321 B ,  H01L 29/72