特許

J-GLOBAL ID：200903095882159058

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 森岡 章次
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-280535
公開番号（公開出願番号）：特開平7-115125
出願日： 1993年10月14日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：

【要約】【目的】 チャネルストッパの反転層阻止能力を強化して、γ線、X線の入射する環境下であっても電流リークの発生を抑制できるようにする。【構成】 p型半導体基板1上にフィールド酸化膜2、ゲート酸化膜3及びゲート電極4を形成し、ヒ素をイオン注入してn+ 型拡散層5を形成する[(a)図]。フィールド酸化膜2の中央部に開口を有するフォトレジスト膜6を形成し、フィールド酸化膜を選択的にエッチングして溝7を形成し、ボロンをイオン注入して溝7直下にチャネルストッパとなるp+ 型拡散領域8を形成する[(b)図]。液相成長法により溝7内にシリコン酸化膜9を形成し、層間絶縁膜10を形成する[(c)図]。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基板上または第1導電型ウェル上に、全膜厚を貫通またはほぼ貫通する溝が開設された素子分離用のフィールド絶縁膜が形成され、前記溝の直下のみにほぼ限定されて第1導電型の高不純物濃度拡散層が形成され、前記溝の少なくとも一部が絶縁物によって埋め込まれていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/76 S ,  H01L 21/94 A ,  H01L 29/78 301 R

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-283944
  
• 特開平4-245662
  
• 特開昭63-307757