特許

J-GLOBAL ID：200903095884136527

化学蒸着方法及びバレル型サセプター

発明者： 平野 博之
出願人/特許権者： 東洋炭素株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-184597
公開番号（公開出願番号）：特開平9-002894
出願日： 1995年06月16日
公開日（公表日）： 1997年01月07日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウェハの表面にCVD法でエピ膜等の被膜を形成した後、ウェハを取り出してもバレル型サセプターに欠けが生じないCVD方法、及びこの際に使用するバレル型サセプターを提供することを目的とする。【構成】 本発明は、SiCで被覆された脱着自在の隔離部材1bを、SiC等で被覆されたサセプター1の半導体ウェハ10を載置する座ぐり部4の下側縁部に複数個配置して、半導体ウェハ側面10aが前記座ぐり部の内側壁面4aに接触しないようにしながら、半導体ウェハ10に被膜を形成することを特徴とするバレル型サセプターを用いたCVD方法、及びこの際に使用するバレル型サセプター1である。

請求項（抜粋）：

炭化ケイ素で被覆された乃至は炭化ケイ素から成る脱着自在の隔離部材を、炭化ケイ素で被覆されたバレル型サセプターの半導体ウェハを載置する座ぐり部の下側縁部に複数個配置して、半導体ウェハ側面が前記座ぐり部の内側壁面に接触しないようにしながら、半導体ウェハに被膜を形成することを特徴とするバレル型サセプターを用いた化学蒸着方法。