特許

J-GLOBAL ID：200903095886577520

配線の形成方法

発明者： 田口 充
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-038236
公開番号（公開出願番号）：特開平11-238794
出願日： 1998年02月20日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：

【要約】【課題】 銅は拡散バリア層との密着性が悪いためにバリア層から剥がれるという問題を生じ、例えば銅のCMP工程時には銅表面にスクラッチを発生させ、配線の信頼性等を低下させていた。【解決手段】 基板11上に形成された絶縁膜21上に密着層31を形成する工程と、その密着層31から上記絶縁膜21に達する溝、接続孔等の凹部41を形成する工程と、その凹部41の内壁および上記密着層31上にバリア層33を形成した後、このバリア層33をエッチバック処理して上記凹部41の側壁にバリア層33を残すとともに上記密着層31上のバリア層33を除去して、その密着層31を露出させる工程と、凹部41および密着層31上に銅のような配線材料層51を形成する工程とを備えている。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された絶縁膜上に密着層を形成する工程と、前記密着層と前記絶縁膜とに凹部を該密着層から該絶縁膜に連続した状態で形成する工程と、前記凹部内壁および前記密着層上にバリア層を形成した後、該バリア層をエッチバック処理して、前記凹部の側壁に該バリア層を残すととに前記密着層上の該バリア層を除去して前記密着層を露出させる工程と、前記凹部内および前記密着層上に配線材料層を形成する工程とを備えたことを特徴とする配線の形成方法。