特許

J-GLOBAL ID：200903095887687052

低熱伝導率ガスをポンピングするためのシステム

発明者： ミシエル・ピユーシユ
出願人/特許権者： アルカテル
代理人 (1件)： 川口 義雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-073658
公開番号（公開出願番号）：特開2002-339864
出願日： 2002年03月18日
公開日（公表日）： 2002年11月27日
要約：

【要約】【課題】 低熱伝導率ガスをポンピングする時に、ドライ一次ポンプの破壊を回避する新しい真空ポンピングシステム構造を提供する。【解決手段】 本発明による真空ポンピングシステムにおいて、ルーツまたはクロー多段ドライ一次ポンプは、逆止め弁11を含む予備排気パイプ7と並列に接続された増設ピストンまたはメンブレンポンプ6を含む排気口段に排出する。排気口段は、一次ポンプ1の加熱を大幅に低減し、これによって、真空ポンピングシステムが、アルゴンまたはキセノンなどの低熱伝導率を持つガスを効率的に、かつ損傷なくポンピングすることを可能にする。

請求項（抜粋）：

一次ポンプ(1)の吸気口(2)がポンピングされるガスを受け取るように構成され、および一次ポンプ(1)の排気口(4)がポンピングされたガスを大気中またはポンピングされたガスのリサイクルシステム(10)へ排出するように構成された、ルーツまたはクロー多段ドライ一次ポンプ(1)を含む真空ポンピングシステムであって、前記一次ポンプ(1)の前記排気口(4)に接続された吸気口(8)、および、大気または前記ポンピングされたガスのリサイクルシステム(10)に排出する排気口(9)を有する増設ポンプ(6)と、前記増設ポンプ(6)に並列に接続され、前記一次ポンプ(1)から入来するガスを通過させるように構成された逆止め弁(11)を含む予備排気パイプ(7)を含み、増設ポンプ(6)が、ルーツまたはクロー技術以外の技術を使用し、ポンピングされたガスの最終圧縮による温度上昇に、損傷なく耐えるように構成されたドライポンプであることを特徴とする真空ポンピングシステム。

IPC (4件)：

F04B 37/16 ,  F04C 23/00 ,  F04C 25/02 ,  F04C 29/00

FI (4件)：

F04B 37/16 D ,  F04C 23/00 D ,  F04C 25/02 K ,  F04C 29/00 N

Fターム (14件)：

3H029AA06 ,  3H029AA15 ,  3H029AA24 ,  3H029AB06 ,  3H029AB08 ,  3H029BB44 ,  3H029BB50 ,  3H029CC15 ,  3H029CC25 ,  3H029CC53 ,  3H029CC54 ,  3H076AA21 ,  3H076AA38 ,  3H076BB28