不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：尾身祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-259093
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097309
出願日： 1994年09月29日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】制御ゲートの浮遊ゲート、チャネルに対する制御性を向上させて、書き込み時の電子の注入効率、消去時の電子引き抜き効率を向上させる。【構成】シリコン基板1上に浮遊ゲート2をそのチャネル長方向の端面を制御ゲート3aに整合させて形成する。ポリシリコンの堆積とエッチバックにより浮遊ゲート2と制御ゲート3aとの積層ゲートの側面に側壁としてのスプリットゲート3bを形成し、ドレイン領域5を形成する側のスプリットゲートを除去する。ゲート2、3a、3bをマスクとして不純物を導入してソース領域4、ドレイン領域5を形成する。層間絶縁膜8を形成し、コンタクト孔7a、7bを開孔した後、ビット線となるアルミ配線6a、ソース線となるアルミ配線6bを形成する。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基板または第1導電型半導体領域の表面領域内に第2導電型のソース領域およびドレイン領域が形成され、ソース・ドレイン領域間のドレイン領域寄りの第1のチャネル領域上に浮遊ゲート電極と制御ゲート電極とが積層されており、ソース・ドレイン領域間のソース寄りの第2のチャネル領域上に前記浮遊ゲート電極および前記制御ゲート電極の側面からは絶縁膜を介して隔てられかつ制御ゲート電極と接続されたスプリットゲート電極が形成されている不揮発性半導体記憶装置において、前記浮遊ゲート電極はゲート長方向に前記制御ゲート電極に自己整合されて形成されており、かつ、前記スプリットゲート電極は前記浮遊ゲート電極と前記制御ゲート電極との積層体に対するサイドウォールとして形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (7件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 21/318 , H01L 21/76 , H01L 27/115 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 29/78 371 , H01L 21/76 M , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平2-023672
特開平1-248670
特開平4-253375

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