特許

J-GLOBAL ID：200903095890190967

アライメントマークとその検出方法

発明者： 野村 渉
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-171917
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022194
出願日： 1996年07月02日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：

【要約】【課題】 リフローAl膜等の平坦化膜での重ね合わせ精度測定に関し、精度測定に悪影響を及ぼすAlグレイン等の影響を大幅に低減し、測定精度の信頼性、測定再現性を向上させる。【解決手段】 半導体基板1上には、レジストからなる主尺パターン2と主尺パターンを包囲するようにレジストパターン4とが形成される。主尺パターン2レジストパターン4を含む半導体基板1上には金属層が形成される。ここで主尺パターン2の一辺の長さは金属層3の平均グレインサイズより小さい。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成される、レジストからなる矩形状の主尺パターンと、この主尺パターンを包囲するように前記半導体基板上に形成されるレジストパターンと、少なくともこのレジストパターンの内側に形成される金属層とを有し、前記主尺パターンの一辺の長さは前記金属層の平均グレインサイズより小さいことを特徴とするアライメントマーク。

FI (7件)：

H01L 21/30 502 M ,  H01L 21/30 506 J ,  H01L 21/30 506 K ,  H01L 21/30 507 L ,  H01L 21/30 522 Z ,  H01L 21/30 525 B ,  H01L 21/30 525 W