特許
J-GLOBAL ID:200903095890249350
半導体モジュール
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
深見 久郎 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-232432
公開番号(公開出願番号):特開平11-073762
出願日: 1997年08月28日
公開日(公表日): 1999年03月16日
要約:
【要約】【課題】 メモリモジュールのサイズを縮小し低消費電力化を実現する。【解決手段】 メモリモジュール100において、モジュールボード101には、メモリを搭載した1つまたは複数のメモリチップMCと、VBB電圧生成回路チップ103とが装着されている。VBB電圧生成回路チップ103は、メモリ内のVBB電圧生成回路を取り出し、メモリチップMCとは別のチップにまとめて搭載したものであり、上記メモリチップMCの各々と電圧供給線L1で接続されている。VBB電圧生成回路チップ103に搭載されたVBB電圧生成回路は外部電源電圧ext.Vccをもとに基板電圧VBBを生成し、メモリチップMCに搭載されたメモリに供給する。
請求項(抜粋):
外部電源電圧が供給される半導体モジュールであって、モジュールボードと、前記モジュールボードに装着され、前記外部電源電圧と異なる基板電圧が供給される半導体素子を含む1つまたは複数の第1のチップと、前記モジュールボードに装着され前記1つまたは複数の第1のチップに接続された、前記外部電源電圧をもとに前記基板電圧を生成する基板電圧生成回路を含む第2のチップとを備える、半導体モジュール。
IPC (3件):
G11C 5/00 301
, G11C 11/413
, G11C 11/407
FI (3件):
G11C 5/00 301 Z
, G11C 11/34 335 A
, G11C 11/34 354 F
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