特許
J-GLOBAL ID:200903095890679117
フローテイングゲートを有する半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
佐藤 隆久
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-293766
公開番号(公開出願番号):特開平5-110107
出願日: 1991年10月14日
公開日(公表日): 1993年04月30日
要約:
【要約】【目的】 EPROMのようなフローティングゲートを有する不揮発性半導体メモリ装置の書き込みおよび消去特性の向上を図ったゲート電極の構造を提供すること。【構成】 フローティングゲート28の少なくとも一部を、表面に多数の微細凹凸が形成される条件で化学気相成長法により形成したポリシリコン層28aで構成し、微細な凹凸が形成してあるフローティングゲート28の表面に、当該凹凸に沿って中間絶縁膜30およびコントロールゲート32が積層してある。
請求項(抜粋):
ゲート絶縁膜上に、フローティングゲート、中間絶縁膜、コントロールゲートが、この順で積層してある半導体装置において、上記フローティングゲートの少なくとも一部を、表面に多数の微細凹凸が形成される条件で化学気相成長法により形成したポリシリコン層で構成し、微細な凹凸が形成してあるフローティングゲートの表面に、当該凹凸に沿って中間絶縁膜およびコントロールゲートが積層してあることを特徴とするフローティングゲートを有する半導体装置。
IPC (2件):
H01L 29/788
, H01L 29/792
引用特許:
審査官引用 (4件)
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特開昭63-306672
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特開平3-272165
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特開昭63-043378
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