特許
J-GLOBAL ID：200903095896727962
突起電極を有する半導体素子の実装方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-134406
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069283
出願日： 1993年06月04日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】【構成】 絶縁性基板1上に導電膜2を蒸着し、その導電膜2上に開口部を有する絶縁膜3を形成し、その開口部にめっき法によって金属突起4を形成した後、絶縁膜3を除去した転写用金属突起基板を用いて、LSIチップ5に金属突起4を接合後、金属突起基板をそのまま搬送することによりLSIチップ5の搬送を行なう。【効果】 工程数を少なくできるため、生産性が向上し、また、転写後の金属突起のダスト付着などの汚れや変形を防止し、歩留まりが向上する。
請求項（抜粋）：
複数個の金属突起が接合固定された金属突起基板に半導体素子を設置する第1の設置工程と、少なくとも加圧を行って前記半導体素子の電極と前記金属突起を接合固定し、前記金属突起と前記半導体素子の電極との接合強度を前記金属突起と前記金属突起基板との接合強度よりも大きくする第1の接合工程と、前記第1の接合工程で複数個の前記半導体素子が前記金属突起を介して接合固定された前記金属突起基板を搬送する金属突起基板搬送工程と、前記金属突起基板搬送工程により搬送された前記金属突起基板から前記金属突起が接合された前記半導体素子を剥離させ、前記金属突起を前記半導体素子に転写する金属突起転写工程と、前記金属突起が転写された前記半導体素子を回路基板上に設置する第2の設置工程と、前記金属突起が転写された前記半導体素子を回路基板上に接合する第2の接合工程とを備えてなる突起電極を有する半導体素子の実装方法。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/321
