特許
J-GLOBAL ID：200903095901226489
プラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
大島 陽一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-282098
公開番号（公開出願番号）：特開平5-094899
出願日： 1991年10月02日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：
【要約】【目的】 マイクロ波を用いたプラズマ処理に関し、高密度プラズマを生成し、プラズマプロセスに於ける高速処理化を図る。【構成】 マイクロ波導波路にマイクロ波の最適のマッチング特性を有する軸方向長さの誘電体を設置する。【効果】 マッチング特性が最適となる誘電体を設置することでマイクロ波の反射が抑制され、マイクロ波のエネルギーが効率よくプラズマに供給される。従ってプラズマ密度が上昇し、活性なイオンが増大しエッチング・CVD等のプラズマプロセスに於て高速処理が可能となる。
請求項（抜粋）：
プラズマ生成室内にマイクロ波を導入してプラズマを生成し、基板に処理を施すマイクロ波プラズマ処理装置に於て、マイクロ波導波路にマイクロ波の最適のマッチング特性を有する軸方向長さの誘電体を設置することを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H05H 1/46
, B01J 19/08
, C23C 16/50
, H01L 21/31
