特許

J-GLOBAL ID：200903095920044740

突起電極の構造及びその製造方法

発明者： 柄沢 康史
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-288756
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129304
出願日： 1991年11月05日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、回路基板へ異方性エッチング法を用い突起電極を形成することにより実装の高密度化を実現する。【構成】 本発明の回路基板は、シリコン単結晶基板1を異方性エッチング加工して、アルミニウム層5を選択的に積層する構造である。

請求項（抜粋）：

電子素子と回路基板を電気的接続する突起電極の構造において、前記回路基板上に形成され、単結晶材料を異方性エッチング法で加工した突起形状体と、該突起形状体上に絶縁層と、該絶縁層上に導電層とから構成されていることを特徴とする突起電極の構造。

IPC (2件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311

FI (2件)：

H01L 21/92 C ,  H01L 21/92 F