特許
J-GLOBAL ID：200903095922360665
太陽電池およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-105006
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299677
出願日： 1992年04月24日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：
【要約】【目的】結晶系シリコン基板あるいは薄膜を用い、バンドギャップの広い非晶質シリコン薄膜との間のヘテロ接合を利用して大面積、高変換効率の太陽電池を得る。【構成】大面積化の容易な容量結合型プラズマCVD法で成膜できる酸素添加水素化非晶質シリコン薄膜により単結晶シリコン基板、多結晶シリコン基板あるいは多結晶シリコン薄膜との間にヘテロ接合を形成する。酸素添加水素化非晶質シリコンは2.0eV以上の光学的バンドギャップを有するので窓層として用いる。
請求項（抜粋）：
第一導電型の結晶系シリコンからなる層とシリコンと酸素とを主成分とする第二導電型の水素化非晶質シリコン系薄膜との間に形成されるヘテロ接合を有する太陽電池。
FI (2件)：
H01L 31/04 N
, H01L 31/04 L
