ダマシン及び化学的機械的研磨工程を用いたMOSトランジスタの形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：瀬谷徹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-193495
公開番号（公開出願番号）：特開2001-036083
出願日： 2000年06月27日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：

【要約】【目的】本発明は、金属ゲートを備える為にダマシン及び化学的機械的研磨工程を適用したMOSトランジスタの形成方法を提供する。【構成】本発明は、素子分離膜が具備された半導体基板を提供する段階;ゲート絶縁膜とポリシリコン膜を順次蒸着する段階;犠牲ゲートパターンを形成する段階;ソース及びドレイン領域を形成する段階;耐酸化膜を蒸着する段階;前記耐酸化膜上に層間絶縁膜を蒸着する段階;層間絶縁膜及び耐酸化膜をエッチングする段階;犠牲ゲートパターンを除去する段階;バリア膜を蒸着する段階;低抵抗の金属膜を蒸着する段階;及び前記層間絶縁膜の上面が露出するまで前記金属膜及びバリア膜をエッチングして金属ゲートを形成する段階を含む事を特徴とする。

請求項（抜粋）：

素子分離膜が具備された半導体基板を提供する段階;前記基板上にゲート絶縁膜とポリシリコン膜を順次蒸着する段階;前記ポリシリコン膜とゲート絶縁膜をパターニングして前記半導体基板の活性領域上に犠牲ゲートパターンを形成する段階;任意の不純物をイオン注入して前記犠牲ゲートパターン両側の前記半導体基板の活性領域内にソース及びドレイン領域を形成する段階;前記犠牲ゲートパターン及び半導体基板上に均一な厚さで耐酸化膜を蒸着する段階;前記耐酸化膜上に層間絶縁膜を蒸着する段階;前記犠牲ゲートパターンの上面が露出するまで前記層間絶縁膜及び耐酸化膜をエッチングする段階;トレンチが形成されるように前記犠牲ゲートパターンを除去する段階;前記結果物上にバリア膜を蒸着する段階;前記トレンチが埋め込まれるように、前記バリア膜上に低抵抗の金属膜を蒸着する段階;及び前記層間絶縁膜の上面が露出するまで前記金属膜及びバリア膜をエッチングして金属ゲートを形成する段階を含むことを特徴とするダマシン及び化学的機械的研磨工程を用いたMOSトランジスタの形成方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 29/43

FI (3件)：

H01L 29/78 301 P , H01L 29/62 G , H01L 29/78 301 G

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