半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-096465
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293530
出願日： 1995年04月21日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：

【要約】【目的】電極を700個以上有する多ピン化のICチップにおけるインナーリードボンディング(ILB)の信頼性を向上させる。【構成】バンプ電極2上にインナーリード3を位置合わせして重ね、ギャングボンディング治具22により熱圧着して仮接続した後、各接続点をポイントボンディング治具23に印加した超音波振動とボンディングステージ21による加熱で順次本格接続を行う。

請求項（抜粋）：

ICチップ上に配置して形成した電極と前記電極のそれぞれに対応するフィルムキャリアテープのインナリードとを位置合わせして重ね低温のギャングボンディング治具により前記電極と前記インナーリードとを仮接続する工程と、仮接続した前記電極および前記インナーリードの接続部のそれぞれをポイントボンディング治具により順次圧着して本格接続する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/603 , H01L 21/607 , H01L 23/48

FI (6件)：

H01L 21/603 B , H01L 21/603 A , H01L 21/607 A , H01L 21/607 B , H01L 23/48 S , H01L 23/48 Z

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